12.000.000.000.000 Bit in 1 Gehäuse
Wenn es außer Geld etwas gibt, von dem man nie genug haben kann, dann ist es Speicher. (Nicht nur) aus diesem Grund bemühen sich die Hersteller um stetige Miniaturisierung, damit möglichst viele Bits in ein Gehäuse passen. In den letzten Jahren wuchsen die Flash-Dies fast wie Wolkenkratzer, da man zur Steigerung der Kapazität von der zweiten in die dritte Dimension wechselte. Toshiba hat nun einen sogenannten BiCS-3D-Chip mit Dies aus 96 Layern vorgestellt, die immerhin 32 GB Daten speichern können. Letztens waren solche Chips noch aus Dies mit 64 Layern.
Wenn es außer Geld etwas gibt, von dem man nie genug haben kann, dann ist es Speicher. (Nicht nur) aus diesem Grund bemühen sich die Hersteller um stetige Miniaturisierung, damit möglichst viele Bits in ein Gehäuse passen. In den letzten Jahren wuchsen die Flash-Dies fast wie Wolkenkratzer, da man zur Steigerung der Kapazität von der zweiten in die dritte Dimension wechselte. Toshiba hat nun einen sogenannten BiCS-3D-Chip mit Dies aus 96 Layern vorgestellt, die immerhin 32 GB Daten speichern können. Letztens waren solche Chips noch aus Dies mit 64 Layern.
Die Steigerung der Kapazität wird nicht nur mit weiteren Stockwerken in Angriff genommen. Bislang arbeiteten die Flash-Zellen ja nur mit TLC-Technik, also 3 bit = 8 Zustände pro Zelle. Doch jetzt gibt es schon Prototypen mit QLC-Technik, also mt 4 bit = 16 Zustände und damit einer Verdoppelung der Kapazität einer Zelle. Damit wurden schon Prototypen mit 64 voll ausgeschöpften Layern gefertigt, die auf sagenhafte 96 GB pro Die kommen. Montiert man davon 16 Stück in ein Gehäuse, erhält man einen Speicher-Chip mit unglaublichen 1,5 TB! In dezimaler Notation ergibt das 12 Billionen bit.
Wenn Sie gerade im Zeitraum vom 7. bis zum 10. August in Kalifornien Urlaub machen, können Sie ja auf der diesjährigen Flash Memory Summit in Santa Clara vorbeischauen und sich mit eigenen Augen überzeugen, dass dies keine bloße Tech Fiction ist.
Die Steigerung der Kapazität wird nicht nur mit weiteren Stockwerken in Angriff genommen. Bislang arbeiteten die Flash-Zellen ja nur mit TLC-Technik, also 3 bit = 8 Zustände pro Zelle. Doch jetzt gibt es schon Prototypen mit QLC-Technik, also mt 4 bit = 16 Zustände und damit einer Verdoppelung der Kapazität einer Zelle. Damit wurden schon Prototypen mit 64 voll ausgeschöpften Layern gefertigt, die auf sagenhafte 96 GB pro Die kommen. Montiert man davon 16 Stück in ein Gehäuse, erhält man einen Speicher-Chip mit unglaublichen 1,5 TB! In dezimaler Notation ergibt das 12 Billionen bit.
Wenn Sie gerade im Zeitraum vom 7. bis zum 10. August in Kalifornien Urlaub machen, können Sie ja auf der diesjährigen Flash Memory Summit in Santa Clara vorbeischauen und sich mit eigenen Augen überzeugen, dass dies keine bloße Tech Fiction ist.