Chip-Technik nur drei Atomlagen dick
Forscher der amerikanischen Stanford University arbeiten an einer neuartigen Chip-Technologie, mit der die Miniaturisierung noch weiter gesteigert werden und ggf. das Ende der Gültigkeit von Moore’s Law weiter hinausgeschoben werden könnte. Es gelang ihnen nämlich, nur drei Atomlagen dicke Filme aus Molybdändisulfid auf Oberflächen anderer Materialien zu übertragen.
Forscher der amerikanischen Stanford University arbeiten an einer neuartigen Chip-Technologie, mit der die Miniaturisierung noch weiter gesteigert werden und ggf. das Ende der Gültigkeit von Moore’s Law weiter hinausgeschoben werden könnte. Es gelang ihnen nämlich, nur drei Atomlagen dicke Filme aus Molybdändisulfid auf Oberflächen anderer Materialien zu übertragen.
Um solche ultradünnen Filme herstellen zu können, haben die Forscher zunächst kleine Mengen Molybdän und Schwefel verbrannt. Aus den dabei entstehenden Dämpfen wurden dann nur wenige Atomlagen dicke Schichten aus Molybdändisulfid auf unterschiedliche Oberflächen wie Glas oder Silizium abgeschieden. Die Filme wären bei einer Breite von 1,5 mm immerhin rund 1 Millionen mal dicker als breit. Denkbar wären damit Chip-Konstruktionen, die einen vertikalen anstatt horizontalen Aufbau haben und damit noch weit mehr Transistoren pro Fläche unterbringen können, als dies bei etablierten Verfahren möglich ist.
PS: In den meisten Quellen wird irrtümlich angegeben, dass ein Verhältnis aus Dicke zu Breite von 25 Millionen zusammenkäme. Da müssen sich die Autoren vertan haben. Dank an Thomas Klingbeil für den Hinweis!
Um solche ultradünnen Filme herstellen zu können, haben die Forscher zunächst kleine Mengen Molybdän und Schwefel verbrannt. Aus den dabei entstehenden Dämpfen wurden dann nur wenige Atomlagen dicke Schichten aus Molybdändisulfid auf unterschiedliche Oberflächen wie Glas oder Silizium abgeschieden. Die Filme wären bei einer Breite von 1,5 mm immerhin rund 1 Millionen mal dicker als breit. Denkbar wären damit Chip-Konstruktionen, die einen vertikalen anstatt horizontalen Aufbau haben und damit noch weit mehr Transistoren pro Fläche unterbringen können, als dies bei etablierten Verfahren möglich ist.
PS: In den meisten Quellen wird irrtümlich angegeben, dass ein Verhältnis aus Dicke zu Breite von 25 Millionen zusammenkäme. Da müssen sich die Autoren vertan haben. Dank an Thomas Klingbeil für den Hinweis!
