Ein Bauteil ist pin-Diode, MOSFET oder BJT in einem
Forscher am SUNY Polytechnic Institute in Albany, New York, haben ein rekonfigurierbares Bauteil hergestellt, das als pin-Diode, MOSFET oder BJT operieren kann. Laut Ji Ung Lee kann damit ein einziges Bauteil die Funktionen von drei verschiedenen Bauteilen einnehmen. Das Bauteil wurde aus 2D-Wolfram-Diselenid (WSe2) hergestellt, einem neuartigen Halbleiter aus dem Übergangsmetall Dichalcogenid.
Forscher am SUNY Polytechnic Institute in Albany, New York, haben ein rekonfigurierbares Bauteil hergestellt, das als pin-Diode, MOSFET oder BJT operieren kann. Laut Ji Ung Lee kann damit ein einziges Bauteil die Funktionen von drei verschiedenen Bauteilen einnehmen.
Das Bauteil wurde aus 2D-Wolfram-Diselenid (WSe2) hergestellt, einem neuartigen Halbleiter aus dem Übergangsmetall Dichalcogenid. Diese Materialien sind vielversprechend, da ihre Bandlücke durch ihre Dicke eingestellt werden kann. Das Vorhandensein einer Bandlücke ist der große Vorteil gegenüber Graphen.
Um mehrere Funktionen in ein Bauteil integrieren zu können, wurde eine neue Dotierungstechnik entwickelt. Vor der Entdeckung von WSe2 für neue Anwendungen gab es nicht genügend Dotierungsverfahren. Mit den neuen Verfahren konnten die Hersteller ambipolare Leitfähigkeit (für Elektronen und Löcher) realisieren. Alle drei Funktionen basieren auf Oberflächenleitung, was die Evaluation der Eigenschaften sehr erleichtert. Die Forscher haben als Ziel, komplexe ICs mit weniger Bauteilen als mit klassischer CMOS-Technik zu realisieren, was die Skalierbarkeit in Post-CMOS-Zeiten unterstreicht.
Das Bauteil wurde aus 2D-Wolfram-Diselenid (WSe2) hergestellt, einem neuartigen Halbleiter aus dem Übergangsmetall Dichalcogenid. Diese Materialien sind vielversprechend, da ihre Bandlücke durch ihre Dicke eingestellt werden kann. Das Vorhandensein einer Bandlücke ist der große Vorteil gegenüber Graphen.
Um mehrere Funktionen in ein Bauteil integrieren zu können, wurde eine neue Dotierungstechnik entwickelt. Vor der Entdeckung von WSe2 für neue Anwendungen gab es nicht genügend Dotierungsverfahren. Mit den neuen Verfahren konnten die Hersteller ambipolare Leitfähigkeit (für Elektronen und Löcher) realisieren. Alle drei Funktionen basieren auf Oberflächenleitung, was die Evaluation der Eigenschaften sehr erleichtert. Die Forscher haben als Ziel, komplexe ICs mit weniger Bauteilen als mit klassischer CMOS-Technik zu realisieren, was die Skalierbarkeit in Post-CMOS-Zeiten unterstreicht.
