Erstes funktionierendes IC in 7-nm-Technik
Einem internationalen Forscherteam unter Führung von IBM gelang die Produktion erster funktionierender Test-Chips mit Transistoren im 7-nm-Prozess. Mit diesem Durchbruch ebneten die kooperierenden Mitarbeitern von GlobalFoundries, Samsung und dem SUNY Polytechnic Institute in Albany (New York) den Weg zur Herstellung von ICs mit bis zu 20 Milliarden Transistoren.
Einem internationalen Forscherteam unter Führung von IBM gelang die Produktion erster funktionierender Test-Chips mit Transistoren im 7-nm-Prozess. Mit diesem Durchbruch ebneten die kooperierenden Mitarbeitern von GlobalFoundries, Samsung und dem SUNY Polytechnic Institute in Albany (New York) den Weg zur Herstellung von ICs mit bis zu 20 Milliarden Transistoren.
Die Mikroprozessoren in heutigen Servern, für Cloud-Technik und Mobilgeräte werden momentan noch in 22-nm- und 14-nm-Technologie gefertigt, wobei erste Bestrebungen in Richtung 10-nm-Fertigung laufen. Mit den kleineren Strukturbreiten von 7 nm können aber mindestens 50% mehr Transistoren auf der gleichen Silizium-Fläche untergebracht werden, was nicht nur deren Leistung steigert, sondern auch einen positiven Effekt auf den Energieverbrauch hat.
Zur Implementierung der 7-nm-Technologie aber musten die Forscher nun neue Wege gehen und sich sowohl mit SiGe-Transistoren (Silizium-Germanium) als auch mit Lithografie-Verfahren in EUV (Extreme UltraViolet) und deren praktische Realisierung im Produktionsprozess befassen.
Bild: Darryl Bautista / Feature Photo Service für IBM
Die Mikroprozessoren in heutigen Servern, für Cloud-Technik und Mobilgeräte werden momentan noch in 22-nm- und 14-nm-Technologie gefertigt, wobei erste Bestrebungen in Richtung 10-nm-Fertigung laufen. Mit den kleineren Strukturbreiten von 7 nm können aber mindestens 50% mehr Transistoren auf der gleichen Silizium-Fläche untergebracht werden, was nicht nur deren Leistung steigert, sondern auch einen positiven Effekt auf den Energieverbrauch hat.
Zur Implementierung der 7-nm-Technologie aber musten die Forscher nun neue Wege gehen und sich sowohl mit SiGe-Transistoren (Silizium-Germanium) als auch mit Lithografie-Verfahren in EUV (Extreme UltraViolet) und deren praktische Realisierung im Produktionsprozess befassen.
Bild: Darryl Bautista / Feature Photo Service für IBM
