GaN-HET-Halbbrücke für 600 V und 3 MHz
Das Fraunhofer IAF (Institute for Applied Solid State Physics) hat eine besonders schnelle Halbbrücke in GaN/Technologie für 600 V und 3 MHz entwickelt, die auf einem Die zwei HETs und zwei Freilaufdioden vereint. Die integrierten HETs weisen einen Einwiderstand von nur 120 mΩ auf. Dank der damit möglichen hohen Schaltfrequenz können Schaltwandler mit kleinen Spulen und daher sehr raumsparend gebaut werden.
Das Fraunhofer IAF (Institute for Applied Solid State Physics) hat eine besonders schnelle Halbbrücke in GaN/Technologie für 600 V und 3 MHz entwickelt, das auf einem Die zwei HETs und zwei Freilaufdioden unterbringt. Die integrierten HETs weisen einen Einwiderstand von nur 120 mΩ auf. Dank der damit möglichen hohen Schaltfrequenz können Schaltwandler mit kleinen Spulen und daher sehr raumsparend gebaut werden.
Für die Schnelligkeit ist die GaN-Technologie (Galliumnitrid) und bei den Freilaufdioden ihre Schottky-Kontakte verantwortlich. Letztere sind die ganz normalen parasitären Dioden und in dieser Anordnung doch besonders schnell. Der Begriff HET ist ein Akronym von High Electron mobility Transistor. Die integrierte Halbbrücke eignet sich besonders für kleine und effiziente Schaltwandler z. B. in Lade- und Versorgungsschaltungen im Bereich der Elektromobilität. Weitere Informationen gibt es in einem Artikel im PDF-Format.
Für die Schnelligkeit ist die GaN-Technologie (Galliumnitrid) und bei den Freilaufdioden ihre Schottky-Kontakte verantwortlich. Letztere sind die ganz normalen parasitären Dioden und in dieser Anordnung doch besonders schnell. Der Begriff HET ist ein Akronym von High Electron mobility Transistor. Die integrierte Halbbrücke eignet sich besonders für kleine und effiziente Schaltwandler z. B. in Lade- und Versorgungsschaltungen im Bereich der Elektromobilität. Weitere Informationen gibt es in einem Artikel im PDF-Format.
