Microchip gibt Siliziumkarbid-Bausteine (SiC) für zuverlässige High-Voltage-Leistungselektronik für die Fertigung frei
Microchip kündigt über seine Tochter Microsemi die Fertigungsfreigabe einer Serie von SiC-Leistungselektronik-Bauelementen an, die sich durch ihre Robustheit und die Vorteile der Wide-Bandgap-(WBG-)Technologie (Halbleiter mit breiter Bandlücke) auszeichnen.
Neben Microchips breitem Angebot an Mikrocontrollern (MCUs) und Analog-ICs ergänzen die SiC-Bausteine eine wachsende Zahl zuverlässiger SiC-Produkte. Diese erfüllen die Anforderungen, den Wirkungsgrad, die Robustheit und die Leistungsdichte in Elektrofahrzeugen (EV) und anderen Hochleistungsanwendungen in den Bereichen Industrie, Luft-/Raumfahrt und Verteidigung zu verbessern.
Die 700V-SiC-MOSFETs sowie 700- und 1200V-SiC-Schottky-Barriere-Dioden (SBDs) von Microchip ergänzen das bestehende Angebot an SiC-Leistungsmodulen. Die über 35 diskreten Bauelemente, die zu Microchips Portfolio hinzugefügt wurden, sind in Serienstückzahlen erhältlich und werden durch umfassende Entwicklungsdienstleistungen, Tools und Referenzdesigns unterstützt. Sie bieten eine hervorragende Robustheit, die durch strenge Tests nachgewiesen wurde. Das breite Angebot an SiC-Dies, diskreten Bauelementen und Leistungsmodulen wird mit verschiedenen Spannungen, Stromstärken und Gehäusearten angeboten.
Die SiC-MOSFETs und -SBDs von Microchip ermöglichen ein effizienteres Schalten bei höheren Frequenzen und durchlaufen Robustheitstests auf einem Niveau, das langfristige Zuverlässigkeit gewährleistet. Die SiC-SBDs von Microchip schneiden bei diesen UIS-Robustheitstests (Unclamped Inductive Switching) um etwa 20% besser ab als andere SiC-Dioden. Bei diesen Tests wird gemessen, wie gut die Bauelemente einer Verschlechterung oder einem vorzeitigen Ausfall unter Lawinen-bedingungen standhalten. Diese treten auf, wenn eine Spannungsspitze die Durchbruchsspannung des Bauelements übersteigt. Die SiC-MOSFETs von Microchip übertreffen auch in diesen Robustheitstests andere Angebote.
Wesentliche Leistungsmerkmale:
- 700V-MOSFETs sowie 700- und 1200V-Schottky-Barriere-Dioden erhöhen die Auswahl
- Unterstützt die wachsende Nachfrage nach der Effizienz und Leistungsdichte der SiC-Technologie
- Effizientes Schalten bei höheren Frequenzen und langfristige Zuverlässigkeit
- 20% robuster als andere SiC-Dioden laut UIS-Test
Die 700V-SiC-MOSFETs sowie 700- und 1200V-SiC-Schottky-Barriere-Dioden (SBDs) von Microchip ergänzen das bestehende Angebot an SiC-Leistungsmodulen. Die über 35 diskreten Bauelemente, die zu Microchips Portfolio hinzugefügt wurden, sind in Serienstückzahlen erhältlich und werden durch umfassende Entwicklungsdienstleistungen, Tools und Referenzdesigns unterstützt. Sie bieten eine hervorragende Robustheit, die durch strenge Tests nachgewiesen wurde. Das breite Angebot an SiC-Dies, diskreten Bauelementen und Leistungsmodulen wird mit verschiedenen Spannungen, Stromstärken und Gehäusearten angeboten.
Die SiC-MOSFETs und -SBDs von Microchip ermöglichen ein effizienteres Schalten bei höheren Frequenzen und durchlaufen Robustheitstests auf einem Niveau, das langfristige Zuverlässigkeit gewährleistet. Die SiC-SBDs von Microchip schneiden bei diesen UIS-Robustheitstests (Unclamped Inductive Switching) um etwa 20% besser ab als andere SiC-Dioden. Bei diesen Tests wird gemessen, wie gut die Bauelemente einer Verschlechterung oder einem vorzeitigen Ausfall unter Lawinen-bedingungen standhalten. Diese treten auf, wenn eine Spannungsspitze die Durchbruchsspannung des Bauelements übersteigt. Die SiC-MOSFETs von Microchip übertreffen auch in diesen Robustheitstests andere Angebote.
