Microchip stellt branchenführende 3,3kV-SiC-Leistungsbauelemente für mehr Effizienz und Zuverlässigkeit vor
[gesponsert] 3,3kV-SiC-MOSFETs und Schottky-Barrier-Dioden (SBDs) erweitern die Möglichkeiten der Entwickler von High-Voltage-Leistungselektronik in den Bereichen Transportwesen, Energieversorgung und Industrie.
Entwickler von Bahnstromversorgungen (TPUs; Traction Power Units), Hilfsstromaggregaten (APUs; Auxiliary Power Units), Halbleitertransformatoren (SSTs; Solid State Transformers), industriellen Motorantrieben und Energieinfrastrukturlösungen benötigen zunehmend Hochspannung, ergo Hochspannungsschalttechnik, um die Effizienz zu erhöhen, die Systemgröße und das Gewicht zu reduzieren und die Zuverlässigkeit zu verbessern. Microchip Technology Inc. erweitert dafür sein SiC-Angebot um 3,3kV-SiC-MOSFETs mit dem branchenweit niedrigsten Durchlasswiderstand [RDS(on)] und SiC-SBDs mit den höchsten Nennströmen, um die Robustheit, Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit von SiC zu nutzen. Mit der Erweiterung dieses Angebots stehen Entwicklern die Möglichkeiten zur Verfügung, die sie für kleinere, leichtere und effizientere Lösungen in den Bereichen Transportwesen, erneuerbare Energien, Luft-/Raumfahrt- und Industrietechnik benötigen.
Viele Silizium-/Si-basierte Designs haben ihre Grenzen erreicht, wenn es um mehr Effizienz, geringere Systemkosten und Neuerungen bei Anwendungen geht. High-Voltage-SiC stellt eine bewährte Alternative dar, um diese Ziele zu verfolgen – allerdings war die Verfügbarkeit von 3,3kV-SiC-Leistungsbauelementen bisher begrenzt. Die 3,3kV-MOSFETs und SBDs von Microchip ergänzen das umfangreiche Angebot von SiC-Lösungen des Unternehmens, das 700-, 1200- und 1700V-ICs, diskrete Bauelemente, Module und digitale Gate-Treiber umfasst.
Das 3,3kV-SiC-Angebot von Microchip deckt MOSFETs mit dem branchenweit niedrigsten RDS(on) von 25 mΩ und SBDs mit dem branchenweit höchsten Nennstrom von 90 A ab. Beide sind als Die/Chip oder im Gehäuse erhältlich. Diese neuen Leistungsniveaus ermöglichen es Entwicklern, ihr Design zu vereinfachen, Systeme mit mehr Leistung bereitzustellen und weniger parallele Bauelemente für kleinere, leichtere und effizientere Leistungselektroniklösungen zu verwenden.
„Wir konzentrieren uns auf Entwicklungen, die unseren Kunden die Möglichkeit geben, zeitnah neue Systeme zu entwickeln und ihre Endprodukte schneller auf den Markt zu bringen“, so Leon Gross, Vice President der Discrete Product Business Unit bei Microchip. „Unsere neue Serie von 3,3kV-SiC-Leistungsbauelementen ermöglicht es Kunden, einfach, schnell und sicher auf High-Voltage-SiC umzusteigen und von den Vorteilen dieser Technik gegenüber Si-basierten Designs zu profitieren.“
Microchip hat in den letzten drei Jahren Hunderte von SiC-Leistungsbauelementen eingeführt, um sicherzustellen, dass Entwickler die richtige Spannung, den richtigen Strom und das richtige Gehäuse für ihre Anforderungen finden. Alle SiC-MOSFETs und SBDs von Microchip wurden im Hinblick auf das Vertrauen der Kunden entwickelt und zeichnen sich durch branchenführende Robustheit und Zuverlässigkeit aus. Die Bauelemente werden durch eine kundenorientierte Obsoleszenz-Praxis unterstützt, die sicherstellt, dass sie so lange produziert werden, wie Kunden sie benötigen und Microchip sie produzieren kann.
Kunden können SiC-Bauelemente von Microchip mit anderen Komponenten des Unternehmens kombinieren, darunter 8-, 16- und 32-Bit-Mikrocontroller (MCUs), Power Management ICs, Analogsensoren, Touch- und Gesten-Controller sowie Funk-ICs, um komplette Systemlösungen zu niedrigeren Gesamtsystemkosten zu entwickeln.
Viele Silizium-/Si-basierte Designs haben ihre Grenzen erreicht, wenn es um mehr Effizienz, geringere Systemkosten und Neuerungen bei Anwendungen geht. High-Voltage-SiC stellt eine bewährte Alternative dar, um diese Ziele zu verfolgen – allerdings war die Verfügbarkeit von 3,3kV-SiC-Leistungsbauelementen bisher begrenzt. Die 3,3kV-MOSFETs und SBDs von Microchip ergänzen das umfangreiche Angebot von SiC-Lösungen des Unternehmens, das 700-, 1200- und 1700V-ICs, diskrete Bauelemente, Module und digitale Gate-Treiber umfasst.
Das 3,3kV-SiC-Angebot von Microchip deckt MOSFETs mit dem branchenweit niedrigsten RDS(on) von 25 mΩ und SBDs mit dem branchenweit höchsten Nennstrom von 90 A ab. Beide sind als Die/Chip oder im Gehäuse erhältlich. Diese neuen Leistungsniveaus ermöglichen es Entwicklern, ihr Design zu vereinfachen, Systeme mit mehr Leistung bereitzustellen und weniger parallele Bauelemente für kleinere, leichtere und effizientere Leistungselektroniklösungen zu verwenden.
„Wir konzentrieren uns auf Entwicklungen, die unseren Kunden die Möglichkeit geben, zeitnah neue Systeme zu entwickeln und ihre Endprodukte schneller auf den Markt zu bringen“, so Leon Gross, Vice President der Discrete Product Business Unit bei Microchip. „Unsere neue Serie von 3,3kV-SiC-Leistungsbauelementen ermöglicht es Kunden, einfach, schnell und sicher auf High-Voltage-SiC umzusteigen und von den Vorteilen dieser Technik gegenüber Si-basierten Designs zu profitieren.“
Microchip hat in den letzten drei Jahren Hunderte von SiC-Leistungsbauelementen eingeführt, um sicherzustellen, dass Entwickler die richtige Spannung, den richtigen Strom und das richtige Gehäuse für ihre Anforderungen finden. Alle SiC-MOSFETs und SBDs von Microchip wurden im Hinblick auf das Vertrauen der Kunden entwickelt und zeichnen sich durch branchenführende Robustheit und Zuverlässigkeit aus. Die Bauelemente werden durch eine kundenorientierte Obsoleszenz-Praxis unterstützt, die sicherstellt, dass sie so lange produziert werden, wie Kunden sie benötigen und Microchip sie produzieren kann.
Kunden können SiC-Bauelemente von Microchip mit anderen Komponenten des Unternehmens kombinieren, darunter 8-, 16- und 32-Bit-Mikrocontroller (MCUs), Power Management ICs, Analogsensoren, Touch- und Gesten-Controller sowie Funk-ICs, um komplette Systemlösungen zu niedrigeren Gesamtsystemkosten zu entwickeln.
