Neue CoolMOS-Serie P7 von Infineon
Bei der neuen Familie CoolMOS P7 handelt es sich um MOSFETs der 800-V-Klasse, die auf der sogenannten Superjunction-Technologiebasieren. Die MOSFETs werden in zwölf RDS(on)-Klassen beginnend mit 0,28 Ω und in sechs Gehäusen gefertigt. Sie eignen sich vor allem für Schaltnetzteile geringer Leistung etwa in Flyback-Topologie, wie sie für LED-Beleuchtung, Audio, Industrie- und Hilfsenergieversorgung benutzt werden.
Bei der neuen Familie CoolMOS P7 handelt es sich um MOSFETs der 800-V-Klasse, die auf der sogenannten Superjunction-Technologiebasieren. Die MOSFETs werden in zwölf RDS(on)-Klassen beginnend mit 0,28 Ω und in sechs Gehäusen gefertigt. Sie eignen sich vor allem für Schaltnetzteile geringer Leistung etwa in Flyback-Topologie, wie sie für LED-Beleuchtung, Audio, Industrie- und Hilfsenergieversorgung benutzt werden.
Die Serie ermöglicht höhere Effizienz, was sich in 2...8°C niedrigerer MOSFET-Temperatur niederschlägt. Eine integrierte Zener-Diode verbessert die Robustheit gegenüber elektrostatischer Entladung. Durch ESD verursachte Produktausfälle werden damit reduziert. Die MOSFETs weisen eine V(GS)th von nur 3 V bei einer Varianz von lediglich ±0,5 V auf. Dies erlaubt eine niedrigere Betriebsspannung und ermöglicht geringere Schaltverluste. Zusätzlich sorgt dies dafür, dass der MOSFET nicht unbeabsichtigt im linearen Bereich betrieben wird.
Die Serie ermöglicht höhere Effizienz, was sich in 2...8°C niedrigerer MOSFET-Temperatur niederschlägt. Eine integrierte Zener-Diode verbessert die Robustheit gegenüber elektrostatischer Entladung. Durch ESD verursachte Produktausfälle werden damit reduziert. Die MOSFETs weisen eine V(GS)th von nur 3 V bei einer Varianz von lediglich ±0,5 V auf. Dies erlaubt eine niedrigere Betriebsspannung und ermöglicht geringere Schaltverluste. Zusätzlich sorgt dies dafür, dass der MOSFET nicht unbeabsichtigt im linearen Bereich betrieben wird.
