Samsung mit erstem 10-nm-FinFET in Produktion
Samsung hat als erster Halbleiterhersteller die Massenproduktion von SoCs gestartet, die auf einen FinFET setzen, dessen Strukturbreite nur 10 nm beträgt.
Samsung hat als erster Halbleiterhersteller die Massenproduktion von SoCs gestartet, die auf einen FinFET setzen, dessen Strukturbreite nur 10 nm beträgt.
Samsung ist sehr stolz darauf, dass sie die ersten weltweit sind, die einen 10-nm-FinFET erfolgreich in der Massenproduktion einsetzen. Samsungs 10-nm-FinFET-Prozess mit der Bezeichnung 10LPE stützt sich auf eine besondere 3D-Struktur mit Verbesserungen was den Prozess und die Entwicklung betrifft. Verglichen mit der 14-nm-Technologie ist die Flächeneffizienz um etwa 30% besser. Darüber hinaus konnte bei 40% geringerem Energieverbrauch eine Leistungssteigerung um 27% erreicht werden.
Um bisherige Skalierungshindernisse zu überwinden, wurde auf sogenanntes Triple-Patterning gesetzt, das bidirektionales Routing erlaubt und so mehr Flexibilität bietet. Nach dem Start des 10LPE-Prozesses hat Samsung noch einen verbesserten Prozess namens 10LPP in der Pipeline, der beim Start in etwa einem Jahr vor allem Leistungssteigerungen bringen wird.
Samsung ist sehr stolz darauf, dass sie die ersten weltweit sind, die einen 10-nm-FinFET erfolgreich in der Massenproduktion einsetzen. Samsungs 10-nm-FinFET-Prozess mit der Bezeichnung 10LPE stützt sich auf eine besondere 3D-Struktur mit Verbesserungen was den Prozess und die Entwicklung betrifft. Verglichen mit der 14-nm-Technologie ist die Flächeneffizienz um etwa 30% besser. Darüber hinaus konnte bei 40% geringerem Energieverbrauch eine Leistungssteigerung um 27% erreicht werden.
Um bisherige Skalierungshindernisse zu überwinden, wurde auf sogenanntes Triple-Patterning gesetzt, das bidirektionales Routing erlaubt und so mehr Flexibilität bietet. Nach dem Start des 10LPE-Prozesses hat Samsung noch einen verbesserten Prozess namens 10LPP in der Pipeline, der beim Start in etwa einem Jahr vor allem Leistungssteigerungen bringen wird.
