Sparsamer magnetischer Speicher dank „gebogenem“ Strom
Ein magnetische Speicher, ein so genannter MRAM (Magnetic Random Access Memory), ist effizienter und robuster als jede andere Art von Datenspeicherung. MRAM speichert Daten, indem es den „Spin“ von Elektronen, eine Art inneren Kompass der Teilchen auswertet. Da keine elektrische Ladung, sondern der Magnetismus zur Speicherung verwendet wird, kann man von einem permanenten Speicher sprechen, der erhalten bleibt, auch wenn der Strom ausfällt. Dabei ist der Speicher sehr energiesparend.
Ein magnetische Speicher, ein so genannter MRAM (Magnetic Random Access Memory), ist effizienter und robuster als jede andere Art von Datenspeicherung. MRAM speichert Daten, indem es den „Spin“ von Elektronen, eine Art inneren Kompass der Teilchen auswertet. Da keine elektrische Ladung, sondern der Magnetismus zur Speicherung verwendet wird, kann man von einem permanenten Speicher sprechen, der erhalten bleibt, auch wenn der Strom ausfällt. Dabei ist der Speicher sehr energiesparend. Allerdings: Die Speicherung eines Datums geschieht durch das „Umkippen“ des Spins eines Elektrons in die richtige Richtung. Dazu ist doch kurzzeitig eine große Menge Strom erforderlich.
Naturwissenschaftler der TU Eindhoven (Niederlande) haben eine revolutionäre Technik entwickelt, um diese magnetischen Bits schneller und energiesparender umschalten zu können. Sie steuern einen Stromimpuls unter der Speicherzelle hindurch, wobei Elektronen mit dem richtigen Spin nach oben in die Speicherzelle abgelenkt werden. Der neue Speicher ist sehr schnell, benötigt aber ein magnetisches Feld, damit der Umschaltvorgang zuverlässig verlaufen kann. Dazu haben die Forscher oberhalb der Speicherzelle ein spezielles anti-ferromagnetisches Material angebracht.
Naturwissenschaftler der TU Eindhoven (Niederlande) haben eine revolutionäre Technik entwickelt, um diese magnetischen Bits schneller und energiesparender umschalten zu können. Sie steuern einen Stromimpuls unter der Speicherzelle hindurch, wobei Elektronen mit dem richtigen Spin nach oben in die Speicherzelle abgelenkt werden. Der neue Speicher ist sehr schnell, benötigt aber ein magnetisches Feld, damit der Umschaltvorgang zuverlässig verlaufen kann. Dazu haben die Forscher oberhalb der Speicherzelle ein spezielles anti-ferromagnetisches Material angebracht.