Superjunction-MOSFETs von Nexperia
Die neuen Superjunction-MOSFETs im robusten, elektrisch und thermisch effizienten LFPAK56E-Gehäuse von Nexperia ermöglichen eine Reduzierung des Platzbedarfs auf der Platine um bis zu 81 % im Vergleich zu herkömmlichen D2PAK- oder D2PAK-Lösungen. Der Typ BUK9J0R9-40H eignet sich mit seinem RDS(on) 0,9 mΩ und einem Maximalstrom von 220 A bis 40 V für Anwendungen mit bis zu 1,2 kW Leistung und ist zudem recht kostengünstig.
Die neuen Superjunction-MOSFETs im robusten, elektrisch und thermisch effizienten LFPAK56E-Gehäuse von Nexperia ermöglichen eine Reduzierung des Platzbedarfs auf der Platine um bis zu 81 % im Vergleich zu herkömmlichen D2PAK- oder D2PAK-Lösungen. Der Typ BUK9J0R9-40H eignet sich mit seinem RDS(on) 0,9 mΩ und einem Maximalstrom von 220 A bis 40 V für Anwendungen mit bis zu 1,2 kW Leistung und ist zudem recht kostengünstig.
Neben der Reduzierung von RDS(on) zeichnen sich die neuen MOSFETs auch durch einen erweiterten Maximalstrom von 220 A aus, was für SO8-Footprints im Automotive-Bereich neu ist. Dies ermöglicht eine höhere Leistungsdichte bei geringem Platzbedarf, was besonders für sicherheitskritische Anwendungen im Automobilbereich wichtig ist, die eine Redundanz durch doppelte Auslegung von Systemen erfordern. Die Verwendung der Superjunction-Technologie bietet eine höhere Avalanche-Fähigkeit und einen sicheren Betriebsbereich für verbesserte Leistung unter erschwerten Bedingungen.
Die neuen MOSFETs erleichtern zudem die Parallelschaltung für Hochstromanwendungen wie etwa Motorsteuerungen für Servolenkungen oder Getriebe, ABS, ESC, Pumpen (Wasser, Öl und Kraftstoff), Lüfterdrehzahlregelungen, Verpolschutz und DC/DC-Wandler.
Neben der Reduzierung von RDS(on) zeichnen sich die neuen MOSFETs auch durch einen erweiterten Maximalstrom von 220 A aus, was für SO8-Footprints im Automotive-Bereich neu ist. Dies ermöglicht eine höhere Leistungsdichte bei geringem Platzbedarf, was besonders für sicherheitskritische Anwendungen im Automobilbereich wichtig ist, die eine Redundanz durch doppelte Auslegung von Systemen erfordern. Die Verwendung der Superjunction-Technologie bietet eine höhere Avalanche-Fähigkeit und einen sicheren Betriebsbereich für verbesserte Leistung unter erschwerten Bedingungen.
Die neuen MOSFETs erleichtern zudem die Parallelschaltung für Hochstromanwendungen wie etwa Motorsteuerungen für Servolenkungen oder Getriebe, ABS, ESC, Pumpen (Wasser, Öl und Kraftstoff), Lüfterdrehzahlregelungen, Verpolschutz und DC/DC-Wandler.
