NPN/PNP-Kennlinienschreiber
Modifikation mit Windows-Software

Die Messung der Gleichstromverstärkung eines Transistors ist im Prinzip eine einfache Sache. Man muß lediglich einen genau definierten Basisstrom IB durch den Basis/Emitter-Übergang leiten und dabei den Kollektorstrom IC messen. Der Quotient dieser beiden Ströme ist der Gleichstromverstärkungsfaktor HFE. Wichtig ist aber zu wissen, daß der Verstärkungsfaktor (leider) keine Konstante ist, sondern von der Größenordung beider Ströme und von der angelegten Kollektor/Emitter-Spannung UCE. abhängt.
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Stückliste
R1,R2,R25 = 1 k
R3,R4,R6,R15,R17,R19 = 27 k
R5 = 33 k
R7 = 10 /5 W
R8...R10 = 150 k
R11 = 37k4 1%
R12...R14 = 100 k
R16 = 34k8 1%
R18 = 17k4 1%
R20 = 8k66 1%
R21,R22 = 270 k
R23 = 1,00 1%
R24 = 47 k
R26 = 2k2
R27,R29 = 150
R28 = 1k8
R30 = 332 1%
Kondensatoren:
C1 = 220 µ/25 V stehend
C2 = 100 µ/63 V stehend
C3...C5 = 100 µ/35 V stehend
C6,C9 = 100 µ/25 V stehend
C7,C8,C10...C13 = 100 n
Halbleiter:
D1...D3 = 1N4148
D4...D9 = 1N4001
D10 = LED, high eff.
T1 = BD139
T2...T4 = BC547B
T5 = TUT
T6 = TUT
IC1 = 74HCT4040
IC2 = AD557JN
IC3 = LM358
IC4 = TLC1541IN
IC5 = LM317 (SOT220)
IC6 = LM337 (SOT220)
IC7 = 7805
Außerdem:
K1 = Centronics-Verbinder für Platinenmontage, gewinkelt
K2 = 2polige Platinenanschlußklemme, RM7,5
Tr1 = Netztrafo 2·9 V/3,3 VA (Monacor VTR3209)
Netzeingangsbuchse mit eingebautem Sicherungshalter, F = 200 mA träge
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