Dioden als Gleichrichter sind zwar schön, einfach und preiswert, aber immer mit einem Spannungs- und damit auch Leistungsverlust verbunden. Bei einer normalen Siliziumdiode liegen die Verluste in der Größenordnung von 0,7...1 W pro Ampere, bei einer Schottky-Diode sind es immerhin noch 0,4...0,5 W/A. Bei einem Brückengleichrichter sogar zweifach, da immer zwei Diodenstrecken von Strom durchflossen sind.
Diese Überlegung führte vor zwei Jahren zur Entwicklung eines aktiven Gleichrichters aus gesteuerten Power-MOSFETs durch Wolfgang Schubert, der im Halbleiterheft 2006 veröffentlicht wurde. Die Schaltung aus einem Quad-Opamp und vier MOSFETs war vollkommen symmetrisch aufgebaut und bildete einen aktiven Brückengleichrichter mit sehr geringer Schwellspannung nach.
Da sich im Elektor-Forum zeigte, dass der eine oder andere Nachbau Probleme machte, wurde die Neugier des Autors geweckt, so dass er sich die Schaltung zum Testen zusammensteckte. Dabei zeigte sich, dass sein TL084 nicht weit genug nach Plus oder Minus durchschaltete, sodass die FETs nicht sauber ausgeschaltet wurden. Anlass zu Optimierungen also!