Aus einer Kooperation von Intel und Micron ging eine neue Speichertechnologie mit der Bezeichnung 3D Xpoint hervor. Dieser Speicher ist nichtflüchtig und trotzdem extrem schnell. Vermutlich handelt es sich dabei um eine Variante von RRAM (Resistive RAM).

Diese (gesprochen) Crosspoints sollen nicht nur viel schneller, sondern sogar unglaublicherweise um den Faktor 1.000 schneller sein als aktueller NAND-Flashspeicher. Und das war noch nicht alles: Er soll auch bis zum Tausendfachen haltbarer sein. Und noch mehr: Im Vergleich mit konventionellem RAM soll sich mit den Xpoints eine bis zum Zehnfachen höhere Speicherdichte erzielen lassen. Weitere technische Daten sind zur Zeit nicht verfügbar.

Der Aufbau von 3D Xpoints besteht aus zwei Schichten von Speicherzellen, die so modernem 3D-NAND-Flash ähneln. Die Technik basiert nicht auf Transistoren und schaltet dennoch schneller als konventioneller nichtflüchtiger Speicher. Ein weiterer Vorteil ist die direkte Adressierbarkeit einzelner Speicherzellen bzw. Bits. Bei aktuellem Multilevel-Flash speichert eine Zelle hingegen 3 bit. Die ersten mit dieser neuen Technik gebauten Chips verfügen über eine Kapazität von 128 GBit = 16 GByte, was etwa der Kapazität aktueller Flash-Chips entspricht. Haupteinsatzgebiet der neuen Technik dürften SSDs sein, wo sie etablierter Flash-Technik Konkurrenz macht.