Das TVS-Diodenarray MDA3KP, ein vertikal aufgebautes 16-poliges SMD-Gehäuse mit acht Dioden, ermöglicht ein effizientes Layout und ein einfaches Design, da weniger Platz auf der Leiterplatte benötigt und gleichzeitig eine höhere Leistungsdichte erzielt wird. Bei diesen Diodenarrays liefert der vertikale Aufbau die Leistung von acht kleineren Bauelementen auf einer Leiterplatte, sodass sich mehrere Komponenten auf dem Board erübrigen, selbst wenn die Leistung höher ist.
 
Die Diodenarrays sind in unidirektionaler und bidirektionaler Ausführung mit Stand-off-Spannungen von 6 bis 40 V erhältlich und bieten Schutz vor elektrostatischer Entladung (ESD) und schnellen elektrischen Transienten (EFT) gemäß IEC-Standards sowie eine maximale Impulsleistung von 3000 W bei 10/1000 µs. Mit einem erweiterten Temperaturbereich von -55 bis +150 °C sind die Bausteine chargenweise rückverfolgbar, überspannungsgetestet und haben den Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL; Moisture Sensitivity Level) der Stufe 1 – ein Beweis dafür, dass die Bausteine für den Einsatz in rauen Umgebungen ausgelegt sind. MSL zeigt an, dass vor dem Einsatz kein Dry Pack oder Erwärmen erforderlich ist. Die Serie MDA3KP umfasst die branchenweit einzigen TVS-Diodenarrays mit diesem Abschirmgrad in diesem Gehäuse.
 
Die 3kW-MDA-Dioden von Microchip bieten Schutz für militärtaugliche Schaltkreise in robusten Handfunkgeräten, das GPS- (Global Positioning System) und Kommunikationstestgeräten. Andere Anwendungen umfassen Automotive, Datenerfassung in der Industrie, Stromversorgungen und Schiffssysteme.

3kW-Diodenarrays