Toshiba Electronics stellt einen besonders leistungsfähigen Schalter vor: Ein IEGT-Modul, das bei Spannungen bis 4.500 V und Strömen bis 1.200 A Leistungen bis zu 4.000 W abführen kann. Anwendungen finden sich außerhalb der Welt von mA, mV und mW in der Leistungselektronik z. B. für industrielle Motorsteuerungen oder Wechselrichter sowie bei vielen Arten elektrischer Antriebe.

Das Modul mit der Bezeichnung MG1200GXH1US61 enthält einen IEGT vom N-Typ mit einer besonders schnellen Recovery-Diode und hat eine Grundfläche von lediglich 14 x 19 cm. Seine besonderen technischen Daten führen gegenüber konventionellerer Technik mit Thyristoren oder IGBTs zu Energieeinsparungen bzw. höheren Wirkungsgraden und dennoch einfachen Ansteuerungslösungen. Die Isolation des Moduls eignet sich für Wechselspannungen bis zu 6 kV (für eine Minute) und der Spitzenwert des Kollektorstroms kann bis zu 2,4 kA betragen. Der Betriebstemperaturbereich reicht von -40 bis 150 °C.

Zur Halbleitertechnik: Bei großen Strömen und großen Spannungen werden typischerweise Thyristoren eingesetzt, die eine niedrige Sättigungsspannung bieten, aber komplex ausgeschaltet werden müssen. IGBTs hingegen sind wegen der Spannungssteuerung des Gates weniger komplex zu beschalten, haben aber aufgrund der höheren Sättigungsspannung höhere Verluste. Hingegen bieten IEGBTs (Injection-Enhanced Gate Transistors) die Vorteile beider Techniken: Spannungssteuerung und niedrige Sättigungsspannung durch Elektroneninduktion, was sogar zu besseren Wirkungsgraden als bei Thyristoren führt.