Wesentliche Leistungsmerkmale:
  • Hochdichtes SPI-EERAM mit bis zu 1 Mbit für die Datenprotokollierung
  • SRAM-Inhalte bleiben bei einem Stromausfall ohne externe Batterie erhalten
  • Automatische Übertragung von SRAM-Daten an nichtflüchtigen Speicher, sobald ein Stromausfall festgestellt wird
  • Geringere Kosten im Vergleich zu NVRAM und FRAM mit niedriger Dichte

Microchip stellt eine neue Serie serieller (SPI) EERAM-Speicher vor, mit denen sich bis zu 25% Kostenersparnis gegenüber aktuellen seriellen NVRAM-Alternativen (Non-Volatile RAM) erzielen lässt. Die neue Serie erweitert das EERAM-Angebot von Microchip um vier zuverlässige SPI-Speicherdichten von 64 Kbit bis 1 Mbit.
 
Anwendungen von intelligenten Zählern bis hin zu Fertigungslinien, die eine Datenprotokollierung sich wiederholender Aufgaben erfordern, müssen in der Lage sein, Inhalte automatisch wiederherzustellen, wenn die Stromzufuhr während der Verarbeitung unterbrochen wird. Derzeitige NVRAM-Speicher mit niedriger Dichte (64 Kbit bis 1 Mbit), die für diese Datenprotokolle verwendet werden, sind in den entsprechenden Endprodukten meist ein Speicher mit dem höchsten Preis pro Bit.
 
EERAM ist ein eigenständiger nichtflüchtiger RAM-Speicher, der die gleichen SPI- und I2C-Protokolle wie serielles SRAM verwendet, so dass Systeme den SRAM-Inhalt bei einem Stromausfall ohne externe Batterie beibehalten können. Alle nichtflüchtigen Aspekte des Vorgangs sind für den Nutzer im Wesentlichen unsichtbar. Erkennt das System einen Stromausfall, überträgt es die SRAM-Daten automatisch in einen nichtflüchtigen Speicher und verschiebt sie zurück in das SRAM, sobald es wieder mit Strom versorgt wird. In Fertigungslinien erledigen bestimmte Stationen im Laufe ihrer Lebensdauer bis zu Millionen von Aufgaben, und Datenverluste während einer Aufgabe können eine Überholung oder das Entsorgen gefertigter Produkte bzw. Ware erforderlich machen. EERAMs speichern automatisch SRAM-Inhalte in diesen Einstellungen, sodass die Fertigungslinie dort weiterarbeiten kann, wo die Aufgabe unterbrochen wurde.
 
Der Hauptgrund, warum EERAM so preisgünstig ist, ist der Standard-CMOS- (Complementary Metal-Oxide Semiconductor) und Flash-Fertigungsprozess. Da es sich hierbei um große Mengen und das am weitesten verbreitete Verfahren handelt, bieten es die branchenweit höchste Zuverlässigkeit und niedrigsten Kosten.

Alternative Lösungen wie Ferroelectric RAM (FRAM) basieren auf einem speziellen Verfahren, das zu viel höheren Kosten und einer instabilen langfristigen Liefergarantie führt. Die neue EERAM-Serie ist mit Microchips kundenorientierter Obsoleszenz-Praxis versehen, mit deren Hilfe die Verfügbarkeit für Kunden so lange wie nötig sichergestellt ist.
 
Die folgenden Speicherbausteine sind in 8-poligen SOIC-, SOIJ- und DFN-Gehäusen in Serie erhältlich:
 
•           48L640: 64 Kbit SPI
•           48L256: 256 Kbit SPI
•           48L512: 512 Kbit SPI
•           48LM01: 1 Mbit SPI
 
Weitere Informationen unter: Serial Peripheral Interface (SPI) EERAM.