OSRAM gelang der erste direkt emittierende grüne Indium-Gallium-Nitrid-Laser – bislang noch im Labor. Er erreicht bereits eine optische Ausgangsleistung von 50 mW und emittiert mit 515 bis 535 nm Wellenlänge in echtem Grün. Gegenüber den heutigen mit Frequenzverdoppelung arbeitenden Halbleiterlasern besticht der direkt emittierende grüne Laser mit höherer Kompaktheit, Temperaturstabilität, leichter Ansteuerbarkeit sowie hoher Modulierbarkeit.

 

OSRAM gelang damit die Überwindung bisheriger Grenzen des InGaN-Materialsystems. Kommerziell werden effiziente und qualitativ hochwertige Halbleiterlaser dieses Spektralbereichs bisher nur über den Umweg der Frequenzverdoppelung realisiert. Mittelfristig könnten direkt emittierende grüne Laser jedoch die frequenzverdoppelten für zahlreiche Anwendungen ablösen, denn ein direkter Laser lässt sich grundsätzlich leichter ansteuern. Außerdem bietet er neben einer höheren Temperaturstabilität einen kleineren Formfaktor sowie mit einigen 100 MHz ein breiteres Modulationsspektrum.

 

Die optische Ausgangsleistung des Labormusters erreicht im gepulsten Betrieb bei Raumtemperatur die 50-mW-Marke, die Schwellstromdichte liegt dabei bei etwa 9 kA/cm2. Grüne Laser verwendet man in zahlreichen medizinischen und industriellen Applikationen, aber auch als Lichtquelle in mobilen Kleinstprojektoren. Dort kann der direkt emittierende grüne Laser zu einer weiteren Verkleinerung und Leistungssteigerung beitragen.