Die nahezu verlustfreie Body-Diode erübrigt eine externe Diode mit dem SiC-MOSFET. Eine mit IGBTs vergleichbare Kurzschlussfestigkeit übersteht schädliche elektrische Transienten. Eine flachere RDS(on)-Kurve über der Sperrschichttemperatur von 0 bis 175 °C ermöglicht einen stabileren Betrieb des Stromversorgungssystems als andere SiC-MOSFETs, die eine höhere Temperaturempfindlichkeit aufweisen.
 
Microchip vereinfacht die Einführung seiner Technologie mit einer Reihe digitaler, programmierbarer AgileSwitch®-Gate-Treiber und einer großen Auswahl an diskreten und Power-Modul-Gehäusen, die in Standard- und anpassbaren Formaten erhältlich sind. Diese Gate-Treiber helfen, die SiC-Entwicklung vom Labortisch bis zur Fertigung zu beschleunigen.
 
Zu den weiteren SiC-Bauelementen von Microchip zählen Serien von MOSFETs und Schottky-Barrier-Dioden für 700 und 1200 V, die als Bare-Die und in einer Vielzahl von diskreten und Power-Modul-Gehäusen erhältlich sind. Microchip vereint die hauseigene SiC-Chipfertigung mit gering-induktiven Leistungselektronikgehäusen und digitalen, programmierbaren Gate-Treibern, damit Entwickler effiziente, kompakte und zuverlässige Endprodukte erstellen können.
 
Die Gesamtsystemlösungen von Microchip umfassen auch Mikrocontroller (MCUs), Analog- und Peripherie-ICs sowie Kommunikations-, Funk- und Sicherheitstechnik.
 

Entwicklungstools

Die zum MPLAB®-Mindi™-Analogsimulator von Microchip kompatiblen SiC-SPICE-Simulationsmodelle bieten Entwicklern die Möglichkeit, die Schalteigenschaften zu simulieren, bevor sie sich dem Hardware-Design widmen. Das Intelligent Configuration Tool (ICT) ermöglicht das Modellieren effizienter SiC-Gate-Treiber-Einstellungen für die AgileSwitch®-Reihe.
 
Microchip erweitert Siliziumkarbid-Angebot