Bei der neuen Familie CoolMOS P7 handelt es sich um MOSFETs der 800-V-Klasse, die auf der sogenannten Superjunction-Technologiebasieren. Die MOSFETs werden in zwölf RDS(on)-Klassen beginnend mit 0,28 Ω und in sechs Gehäusen gefertigt. Sie eignen sich vor allem für Schaltnetzteile geringer Leistung etwa in Flyback-Topologie, wie sie für LED-Beleuchtung, Audio, Industrie- und Hilfsenergieversorgung benutzt werden.
 
Die Serie ermöglicht höhere Effizienz, was sich in 2...8°C niedrigerer MOSFET-Temperatur niederschlägt. Eine integrierte Zener-Diode verbessert die Robustheit gegenüber elektrostatischer Entladung. Durch ESD verursachte Produktausfälle werden damit reduziert. Die MOSFETs weisen eine V(GS)th von nur 3 V bei einer Varianz von lediglich ±0,5 V auf. Dies erlaubt eine niedrigere Betriebsspannung und ermöglicht geringere Schaltverluste. Zusätzlich sorgt dies dafür, dass der MOSFET nicht unbeabsichtigt im linearen Bereich betrieben wird.