Eine neue Familie von SiC-JFETs speziell für Anwendungen im High-End-Audio-Bereich wurde von SemiSouth Laboratories, Inc. vorgestellt.  Die Siliziumkarbid- (SiC) Transistoren dieses Herstellers wurden bisher hauptsächlich für energieeffiziente Hochleistungs-Power-Management- und Spannungswandler-Anwendungen unter widrigen Einsatzbedingungen verwendet. Die neuen Audio-SiC-JFETs SJEP120R100A und SJEP120R063A zeichnen sich durch hervorragende Linearität aus und setzen in ihrer Klasse einen Maßstab für Verzerrungsarmut.

 

Die neuen SiC-JFET sind mit gängigen Gate-Treiber-ICs kompatibel. Beide Typen haben einen positiven Temperaturkoeffizienten und lassen sich dadurch problemlos parallelschalten. Weitere Besonderheiten sind eine extrem hohe Schaltgeschwindigkeit, ein niedriger RDS(on)max von 0,1 Ω bzw. 0,063 Ω und die Eigenschaften, dass  bis zur maximalen Betriebstemperatur von 150°C kein ‘Tail’-Strom auftritt.

Beide Typen sind im TO-247-Gehäuse erhältlich, die 100-mΩ-Version ist auch als ungehäuster Chip (zur Integration in Module) verfügbar.

 

Nelson Pass, Gründer des bekannten Audioverstärker-Herstellers Nelson Pass Inc., kommentiert: “Während der vergangenen 40 Jahre habe ich die Vorzüge von Kleinleistungs-JFETs in Audio-Schaltungen zu schätzen gelernt, und beim Experimentieren mit den wenigen Exemplaren von Leistungs-JFETs, die zu kriegen waren, ist mir klar geworden, welches Potenzial in diesen Bauteilen steckt.  Mit den neuen SiC-Leistungs-JFETs von SemiSouth ist dieses Potenzial jetzt nutzbar – in Form von zuverlässigen analogen Leistungsverstärkern.  In Brückenschaltungen verringern sie die Verzerrungen um 50 % bis 70 % und in gewöhnlichen Gegentaktschaltungen fast um den Faktor 10.  Derzeit produzieren wir einen kleinen High-End-Audio-Verstärker mit dem SJEP120R100A und entwickeln weitere Verstärker mit höherer Leistung auf Basis des Abreicherungstyps SJDP120R085.“

 

Um Audio-Entwicklern entgegenzukommen, hat die SemiSouths nach Aussage des Vertriebschefs Dieter Liesabeths die Preise der Audio-SiC-JFETs im Vergleich zu herkömmlichen SiC-JFETs für Leistungsanwendungen um etwa 15 % reduziert.

 

Weitere Informationen:

www.semisouth.com