Toshiba TCR3DM LDO-Spannungsregler
01. April 2022
über
über
Allzweck-Spannungsregler mit einem Ausgang und Ein/Aus-Steuereingang
Der TCR3DM sorgt für niedrige Dropout- und niedrige Ausgangsrauschspannung sowie niedrigen Einschaltstrom. Die LDOs stellen feste Ausgangsspannungen im Bereich von 1,0 V bis 4,5 V und einen Ausgangsstrom von bis zu 300 mA bereit. Darüber hinaus verfügt der TCR3DM über einen Überstromschutz, einen Übertemperaturschutz, eine Einschaltstrombegrenzung und eine automatische Entladefunktion am Ausgang.
Die Toshiba TCR3DM 300 mA Low-Dropout-Regler weisen eine niedrige Dropout-Spannung von 210 mV (2,5 V Ausgangsspannung, IOUT = 300 mA), eine niedrige Ausgangsrauschspannung von 38 μVrms (2,5 V Ausgangsspannung) und ein Lasteinschwingverhalten von nur ΔVOUT = ±80 mV (IOUT = 1 mA⇔300 mA, COUT =1,0 μF) auf.
Der TCR3DM ist in dem extrem kleinen DFN4/DFN4E-Kunststoff-Formgehäuse (1,0 mm x 1,0 mm; t 0,58 mm) untergebracht. Dank der Koordination mit kleinen keramischen Eingangs- und Ausgangskondensatoren ist die Serie TCR3DM ideal für Mobiltelefone und andere mobile Applikationen mit besonders dichter Board-Bestückung.
Mehr Infos >>>
Der TCR3DM sorgt für niedrige Dropout- und niedrige Ausgangsrauschspannung sowie niedrigen Einschaltstrom. Die LDOs stellen feste Ausgangsspannungen im Bereich von 1,0 V bis 4,5 V und einen Ausgangsstrom von bis zu 300 mA bereit. Darüber hinaus verfügt der TCR3DM über einen Überstromschutz, einen Übertemperaturschutz, eine Einschaltstrombegrenzung und eine automatische Entladefunktion am Ausgang.
Der TCR3DM ist in dem extrem kleinen DFN4/DFN4E-Kunststoff-Formgehäuse (1,0 mm x 1,0 mm; t 0,58 mm) untergebracht. Dank der Koordination mit kleinen keramischen Eingangs- und Ausgangskondensatoren ist die Serie TCR3DM ideal für Mobiltelefone und andere mobile Applikationen mit besonders dichter Board-Bestückung.
Leistungsmerkmale
- Niedrige Dropout-Spannung
- VDO = 210 mV (typ.) bei 2,5 V Ausgangsspannung, IOUT = 300 mA
- VDO = 270 mV (typ.) bei 1,8 V Ausgangsspannung, IOUT = 300 mA
- VDO = 490 mV (typ.) bei 1,2 V Ausgangsspannung, IOUT = 300 mA
- Niedrige Ausgangsrauschspannung
- VNO = 38 μVrms (typ.) bei 2,5 V Ausgangsspannung, IOUT = 10 mA, 10 Hz ≤ f ≤ 100 kHz
- Schnelles Lasteinschwingverhalten (ΔVOUT = ±80 mV (typ.) bei IOUT = 1 mA ⇔ 300 mA, COUT =1,0 μF)
- Hohe Welligkeitsunterdrückung (R.R = 70 dB (typ.) bei 2,5 V Ausgangsspannung, IOUT = 10 mA, f =1 kHz)
- Überstromschutz
- Übertemperaturschutz
- Einschaltstrombegrenzung
- Automatische Entladung
- Pulldown-Verbindung zwischen CONTROL und GND
- Einsatz von Keramikkondensatoren möglich (CIN = 1,0 μF, COUT =1,0 μF)
- Extrem kleines DFN4/DFN4E-Gehäuse (1,0 mm x 1,0 mm ; t 0,58 mm)
Mehr Infos >>>
Mehr anzeigen
Weniger anzeigen
Diskussion (0 Kommentare)