| Natürlich haben Sie schon einmal ein paar Löcher in eine Wand gebohrt, um etwas aufzuhängen oder zu befestigen – doch manchmal sind da Strom...
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| Forscher der Purdue University haben sich die Forschung zu negativen kapazitiven Feldeffekttransistoren (NC-FETs) angeschaut und ihre Schlus...
| UnitedSiC hat einen direkten Drop-In-Ersatz für Silizium-Superjunction-MOSFETs in Form einer neuen Serie von 650-V-SiC-FETs (Siliziumkarbid)...
| Forscher der Purdue University konnten experimentell zeigen, wie ein Effekt namens „negative Kapazität“ einen neuen Transistor-Typ energiesp...
| Einer Kooperation von IBM, Samsung und GlobalFoundries gelang der weltweit erste Chip in 5-nm-Technik. Der 5-nm-IBM-Chip ist gleichzeitig ei...
| Unwahrscheinlich, aber vielleicht kennen Sie doch Wolfman Jack als Radio-DJ aus den 70ern oder Wolfmother als akzeptable Led-Zeppelin-Imitat...
| Texas Instruments stellt einen Prototypen eines integrierten Leistungsmoduls vor, das bei Nennwerten von 80 V / 10 A / 18 mΩ mit GaN-Power-F...
| Forscher des amerikanischen AIST (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology) konnten die Funktion eines Tunnel-FETs m...
| Die Schaltung ist ein gutes Beispiel dafür, daß man auch ohne die allerneusten Bauelemente interessante und brauchbare Anwendungen realisier...
| m CD 5 MGF1302 SPH-300TC o Low-Noise GaAS FET 12- 250 Watt Woofer DATENBLATT OS/36 DATENBLATT O6/96 AnwendungenGehäuseGD-4 AnwendungenDer SP...